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中国大学MOOC电工电子技术(多课时)作业答案

电工电子技术(多课时)

学校: 无

平台: 超星学习通

题目如下:

1. 下图属于SMT非标准焊接中的( )。

A. 元器件摆放不整齐

B. 元器件偏向一边

C. 元器件没有贴底

D. 焊接时焊锡过多

答案: 元器件没有贴底

2. 下图属于SMT非标准焊接中的( )。

A. 元器件摆放不整齐

B. 元器件摆放偏在一边

C. 元器件没有贴底

D. 焊接时焊锡过多

答案: 焊接时焊锡过多

3. 电子技术按电子器件的发展可分为( )三个阶段。

A. 第一代—— 晶体管时代 第二代—— 电子管时代 第三代—— 集成电路时代

B. 第一代—— 电子管时代 第二代—— 模拟电路时代 第三代—— 数字电路时代

C. 第一代—— 电子管时代 第二代—— 集成电路时代 第三代—— 晶体管时代

D. 第一代—— 电子管时代 第二代—— 晶体管时代 第三代—— 集成电路时代

答案: 第一代—— 电子管时代 第二代—— 晶体管时代 第三代—— 集成电路时代

4. 电子技术的发展前景主要有( )。

A. 智能化和人性化、集成化、网络化

B. 智能化和人性化、微型化、网络化

C. 智能化和人性化、微型化、自动化

D. 自动化、微型化、网络化

答案: 智能化和人性化、微型化、网络化

5. 常用的半导体材料有( )

A. 铝和锗

B. 铁和铜

C. 金和银

D. 硅和锗

答案: 硅和锗

6. P型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。

A. 三价

B. 四价

C. 五价

D. 六价

答案: 三价

7. N型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。

A. 三价

B. 四价

C. 五价

D. 六价

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8. 半导体的导电性能比导体差而比绝缘体好,其内部只有一种载流子。( )

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9. PN结具有单向导电性。即在P极接高电位,N极接低电位,且两端电压大于PN结门槛电压时,二极管才能导通。 ( )

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10. PN结正向偏置时,其内外电场方向一致,PN结导通。( )

渝粤题库 tyle="color:red">答案:请关注【九八五题库】微信公众号,发送题目获取正确答案。

11. 上图中晶体管的类型是整流二极管,其中黑端是负极。

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12. 图中二极管为整流二极管,左边引脚为二极管的负极。

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13. 图中二极管为发光二极管,长的引脚为二极管的负极。

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14. 出现下图焊点属于非标准焊接中的( )

A. 开路

B. 粘焊

C. 冷焊

D. 包焊

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15. 出现下图焊点属于非标准焊接中的( )

A. 开路

B. 冷焊

C. 包焊

D. 锡渣

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16. 上图中集成电路的1脚是 ?

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17. 4三极放大电路如图所示,则其对应的交流通路是( )。

A.

B.

C.

D.

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18. 5三极放大电路的交流通路如图所示,则其对应的微变等效电路是( )。

A.

B.

C.

D.

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19. 9三极放大电路如图所示,则其对应的交流通路是( )。

A.

B.

C.

D.

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20. 10三极放大电路的交流通路如图所示,则其对应的微变等效电路是( )。

A.

B.

C.

D.

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21. 静态工作点UCEQ=()。

A. 0

B. V CC-I CQR C

C. V CC-I EQR C

D. V CC

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22. 静态工作点的值IBQ≈()。

A. V CC/R C

B. V CC/R E

C. V CC/R B

D. V CC/R L

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23. 放大电路如图所示,已知硅三极管的 β=50,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A. 成人学历 截止

B. 饱和

C. 放大

D. 无法确定

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24. 如图所示电路中,已知三极管的β=100,忽略UBE的压降,RB=300kΩ,RC=2kΩ,UCC=9V,可估算出电路的IBQ 、ICQ 、UCEQ 分别等于( )。

A. 30μA,3mA,3V;

B. 3mA,30μA,3V;

C. 40μA,4mA,1V;

D. 4mA,40μA,1V;

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25. 单管共射极放大器工作在放大状态时,静态工作点由哪几个值确定()。

A. I BQ

B. I CQ

C. U C 国家开放大学 EQ

D. U CC

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26. 三极管的内部结构特点如下:( )

A. 发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B. 集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C. 基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D. 发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

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27. 双极型三极管由两个PN结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

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28. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C、E两个电极互换使用。

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29. 某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U1=-9V,U2=-6V,U3=-6.2V,则电极3是( )且三极管为( )型。

A. 基极、PNP

B. 发射极、PNP

C. 基极、NPN

D. 发射极、NPN

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30. 三极管放大的外部条件是:( )

A. 集电结正偏,发射结反偏

B. 集电结正偏,发射结正偏

C. 集电结反偏,发射结正偏

D. 集电结反偏,发射结反偏

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31. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。

A. IE=IB+IC

B. IC ≈ β IB

C. ICBO=(1+β)ICEO

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32. 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得I1=2mA,I2=0.04mA,I3=2.04mA,则1、2、3三个电极按顺序分别是( )。

A. 基极、集电极、发射极

B. 集电极、发射极、基极

C. 基极、发射极、集电极

D. 集电极、基极、发射极

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33. 三极管工作时只有自由电子参与导电。

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3 广东开放大学 4. 三极管工作在放大状态时发射结一定处于正向偏置。

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35. 发光二极管采用________________安装(安装形式:立式、水平),应距离印刷电路板约_______mm。

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36. 普通二极管有银圈的一端为__________极(正、负)?

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37. 电解电容在安装时底部 渝粤教育 应距离印刷版___________mm,较长的引脚为___________极。

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38. 电阻采用 安装方式,并贴紧印刷电路板,安装时注意色环电阻的方向遵循 的读数方向摆放。

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39. 元件焊接后修剪引脚时应留头 mm,且不能损伤焊接面。

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40. 测量得三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三极管的工作状态。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

D. 不确定

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41. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。

A. 放大

B. 截止

C. 饱和

D. 无法确定

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42. 测量得三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三极管的工作状态。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

D. 不确定

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43. 已知三极管中的集电极电流IC随着基极电流IB的增加而增加,与UCE的大小无关,则三极管工作在( )。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

D. 不确定

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44. 三极管处于截止区时,各电极( )主要由外电路决定。

A. 电位

B. 电压

C. 电流

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45. 测量得三极管三个电极对地电位如图所示,试判断三极管的工作状态。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

D. 不确定

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46. 三极管的安全工作区是由以下哪组参数确定的( )。

A. ICM、PCM、V(BR)EBO

B. ICM、PCM、V(BR)CBO

C. ICM、PCM、V(BR)CEO

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47. 电路中测量发现三极管的发射结正向偏置,则可判断三极管工作在放大状态。

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48. 某三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15 V,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。

A. UCE=3V,IC=10mA

B. UCE=2V,IC=40mA

C. UCE=6V,IC=20mA

D. UCE=20V,IC=2mA

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49. 某三极管的极限参数PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=20 V。当工作电流IC=2mA时, UCE不得超过 ( )V 。

A. 10

B. 20

C. 30

D. 2

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50. 三极管的安全工作区是由以下哪组参数确定的( )。

A. ICM、PCM、V(BR)EBO

B. ICM、PCM、V(BR)CBO

C. ICM、PCM、V(BR)CEO

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51. 集电极-发射极间反向电流ICEO是衡量三极管质量好坏的一个指标,其值( )。

A. 越小越好

B. 越大越好

C. 不确定

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52. 某三极管的极限参数PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=20 V。当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过 ( ) mA 。

A. 10

B. 20

C. 100

D. 1

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53. β值是衡量三极管放大能力的重要指标,选用时β值越高越好。

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54. 当温度升高时,三极管的参数导通电压会增大。

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55. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小。

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